7月25日消息，根据集邦咨询发布的最新市场研报，苹果公司正在考虑在其未来的 iPhone 产品中引入 QLC NAND 闪存技术。这一技术的应用最早可能在 2026 年实现，届时 iPhone 的内置存储上限将达到 2TB。
图源东方IC
QLC NAND，全称为 Quad-level cells（四层单元），是一种先进的闪存技术，每个存储单元可以存储 4 位数据。与 TLC NAND（三层单元）相比，QLC NAND 的存储密度提高了 33%。
尽管 QLC NAND 可能不适合写入密集型工作负载，但其高存储密度使得它成为大容量存储应用的理想选择。苹果公司计划利用这一技术，提升 iPhone 的存储能力，使其能够满足日益增长的数据存储需求。据集邦咨询的预估，苹果正在加速推进 QLC NAND 技术的应用，目标是将 iPhone 的内置存储上限提高到 2TB。
苹果公司还在探索如何利用 NAND 闪存技术存储大型语言模型（LLMs），以便在本地运行更多的 AI 任务。过渡到 QLC NAND 闪存可能有助于提升 Apple Intelligence 的表现，使其能够更高效地处理复杂的 AI 计算任务。